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SI4354DY-T1-E3

SI4354DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4354DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4354DY-T1-E3
描述 MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4354DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4354DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI4354DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs16.5mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

840mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

440mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.65nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

37pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

530mW (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SC-75

包裝/箱

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-

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

246nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

694W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

SP4

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制造商

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

47mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

318pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

950mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-23-3

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13.5pF @ 3V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1972pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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SI4812BDY-T1-GE3

SI4812BDY-T1-GE3

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MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC