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SI4423DY-T1-E3

SI4423DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4423DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4423DY-T1-E3
描述 MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 92,004
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4423DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4423DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI4423DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.5mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 600µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs175nC @ 5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)1.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.6mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 33µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2916pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

115W (Tc)

工作溫度

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 5V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

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