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SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4434ADY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4434ADY-T1-GE3
描述 MOSFET N-CHAN 250V SO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4434ADY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4434ADY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI4434ADY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列ThunderFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)7.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs150mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds600pF @ 125V
FET功能-
功耗(最大值)2.9W (Ta), 6W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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75V

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85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.7mOhm @ 51A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4440pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 900mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

170pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 210µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

28W (Tc)

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 25V

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Vgs(th)(最大)@ ID

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