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SI4532ADY-T1-GE3

SI4532ADY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4532ADY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4532ADY-T1-GE3
描述 MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,366
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4532ADY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4532ADY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4532ADY-T1-GE3, SI4532ADY-T1-GE3數據表 (總頁數: 10, 大小: 178.23 KB)
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SI4532ADY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.7A, 3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs53mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.13W, 1.2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A, 4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 5V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

888pF @ 15V

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A, 1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

210mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A, 12A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.55V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 10V

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