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SI4532DY

SI4532DY

僅供參考

型號 SI4532DY
PNEDA編號 SI4532DY
描述 MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 19,758
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4532DY資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4532DY
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4532DY, SI4532DY數據表 (總頁數: 4, 大小: 377.11 KB)
PDFSI4532DY數據表 封面
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SI4532DY規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.9A, 3.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs65mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds235pF @ 10V
功率-最大900mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

565pF @ 8V

功率-最大

1.6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 6.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V

功率-最大

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.55V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

960pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.6nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1171pF @ 10V

功率-最大

1.2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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