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SI4542DY-T1-E3

SI4542DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4542DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4542DY-T1-E3
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,608
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4542DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4542DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4542DY-T1-E3, SI4542DY-T1-E3數據表 (總頁數: 7, 大小: 116.65 KB)
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SI4542DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs50nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

880mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

490mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

570mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A, 3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

740pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.2A, 3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

43mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12.5pF @ 15V

功率-最大

125mW (Ta)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 15V

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