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SI4654DY-T1-E3

SI4654DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4654DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4654DY-T1-E3
描述 MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 5,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4654DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4654DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI4654DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)28.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs100nC @ 10V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3770pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 5.9W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

79mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 1.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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