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SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4904DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4904DY-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 45,174
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4904DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4904DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4904DY-T1-E3, SI4904DY-T1-E3數據表 (總頁數: 9, 大小: 172.97 KB)
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SI4904DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs16mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs85nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2390pF @ 20V
功率-最大3.25W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.6A (Ta), 15A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

481pF @ 15V, 996pF @ 15V

功率-最大

1.96W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

389pF @ 10V

功率-最大

730mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 11µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 15V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 980µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

750mA, 660mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 650mA, 4.5V, 520mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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