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SI4936ADY-T1-GE3

SI4936ADY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4936ADY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4936ADY-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,024
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4936ADY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4936ADY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4936ADY-T1-GE3, SI4936ADY-T1-GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 174.44 KB)
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SI4936ADY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs36mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

105nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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7.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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Vishay Siliconix

制造商

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

功率-最大

38W (Tc), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V

功率-最大

1.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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1465pF @ 15V

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