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SI4973DY-T1-E3

SI4973DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4973DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4973DY-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,254
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 4 - 四月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4973DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4973DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4973DY-T1-E3, SI4973DY-T1-E3數據表 (總頁數: 6, 大小: 109.16 KB)
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SI4973DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs23mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs56nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

83mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

250nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7200pF @ 25V

功率-最大

250W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1720pF @ 15V

功率-最大

4.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.4Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.43nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7.5pF @ 10V

功率-最大

800mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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SI4940DY-T1-GE3

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制造商

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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