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SI5415AEDU-T1-GE3

SI5415AEDU-T1-GE3

僅供參考

型號 SI5415AEDU-T1-GE3
PNEDA編號 SI5415AEDU-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,690
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5415AEDU-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI5415AEDU-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SI5415AEDU-T1-GE3, SI5415AEDU-T1-GE3數據表 (總頁數: 9, 大小: 168.75 KB)
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SI5415AEDU-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.6mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs120nC @ 8V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4300pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)3.1W (Ta), 31W (Tc)
工作溫度-50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® ChipFet Single
包裝/箱PowerPAK® ChipFET™ Single

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

220nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

357W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 73A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 73µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3840pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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制造商

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系列

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

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FET類型

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

61A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1990pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

87W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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