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SI5480DU-T1-GE3

SI5480DU-T1-GE3

僅供參考

型號 SI5480DU-T1-GE3
PNEDA編號 SI5480DU-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 7,956
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5480DU-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI5480DU-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI5480DU-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs16mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs34nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1230pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)3.1W (Ta), 31W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® ChipFet Single
包裝/箱PowerPAK® ChipFET™ Single

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制造商

Vishay Siliconix

系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

74A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 37A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 24V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2210pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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包裝/箱

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.51nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

47pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

300mW (Ta), 1.06W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

225pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

750mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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