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SI5905DC-T1-GE3

SI5905DC-T1-GE3

僅供參考

型號 SI5905DC-T1-GE3
PNEDA編號 SI5905DC-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,784
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 31 - 一月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5905DC-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI5905DC-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI5905DC-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID450mV @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝1206-8 ChipFET™

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

32.5mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 15V

功率-最大

1.1W, 1.2W

工作溫度

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