SI5915DC-T1-E3
僅供參考
型號 | SI5915DC-T1-E3 |
PNEDA編號 | SI5915DC-T1-E3 |
描述 | MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8 |
制造商 | Vishay Siliconix |
單價 | 請求報價 |
庫存 | 5,112 |
倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
預計交貨 | 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸) |
Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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SI5915DC-T1-E3資源
品牌 | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
制造商零件編號 | SI5915DC-T1-E3 |
類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET,MOSFET-陣列 |
數據表 |
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SI5915DC-T1-E3規格
制造商 | Vishay Siliconix |
系列 | TrenchFET® |
FET類型 | 2 P-Channel (Dual) |
FET功能 | Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(Vdss) | 8V |
電流-25°C時的連續漏極(Id) | 3.4A |
Rds On(Max)@ Id,Vgs | 70mOhm @ 3.4A, 4.5V |
Vgs(th)(最大)@ ID | 450mV @ 250µA (Min) |
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 9nC @ 4.5V |
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds | - |
功率-最大 | 1.1W |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
包裝/箱 | 8-SMD, Flat Lead |
供應商設備包裝 | 1206-8 ChipFET™ |
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