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SI5933DC-T1-E3

SI5933DC-T1-E3

僅供參考

型號 SI5933DC-T1-E3
PNEDA編號 SI5933DC-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 2 - 四月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5933DC-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI5933DC-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI5933DC-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs110mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.7nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝1206-8 ChipFET™

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A, 3.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

665pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 25V

功率-最大

2.5W

工作溫度

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

290mA, 410mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.9Ohm @ 290mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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