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SI5943DU-T1-GE3

SI5943DU-T1-GE3

僅供參考

型號 SI5943DU-T1-GE3
PNEDA編號 SI5943DU-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,698
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5943DU-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI5943DU-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI5943DU-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs64mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds460pF @ 6V
功率-最大8.3W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® ChipFET™ Dual
供應商設備包裝PowerPAK® ChipFet Dual

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.5nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

120pF @ 16V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

415pF @ 6V

功率-最大

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