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SI5947DU-T1-E3

SI5947DU-T1-E3

僅供參考

型號 SI5947DU-T1-E3
PNEDA編號 SI5947DU-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,110
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5947DU-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI5947DU-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI5947DU-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs58mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds480pF @ 10V
功率-最大10.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® ChipFET™ Dual
供應商設備包裝PowerPAK® ChipFet Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

94mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.8nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

355pF @ 10V

功率-最大

6.5W

工作溫度

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Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44.6nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3643pF @ 25V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 150mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.74nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12.9pF @ 12V

功率-最大

820mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

630mOhm @ 200mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.23nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 10V

功率-最大

150mW

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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