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SI5948DU-T1-GE3

SI5948DU-T1-GE3

僅供參考

型號 SI5948DU-T1-GE3
PNEDA編號 SI5948DU-T1-GE3
描述 MOSFET 2 N-CH 40V 6A POWERPAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 54,540
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5948DU-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI5948DU-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI5948DU-T1-GE3, SI5948DU-T1-GE3數據表 (總頁數: 9, 大小: 388.38 KB)
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SI5948DU-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs82mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.6nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds165pF @ 20V
功率-最大7W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® ChipFET™ Dual
供應商設備包裝PowerPAK® ChipFet Dual

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 1.13A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2130pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

345pF @ 10V

功率-最大

1.2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 20A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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