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SI6404DQ-T1-E3

SI6404DQ-T1-E3

僅供參考

型號 SI6404DQ-T1-E3
PNEDA編號 SI6404DQ-T1-E3
描述 MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 6,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI6404DQ-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI6404DQ-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI6404DQ-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID600mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs48nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)1.08W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-TSSOP
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2155pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.7W (Ta), 37W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1540pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 220mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 26µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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FET功能

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功耗(最大值)

1.1W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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