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SI6443DQ-T1-E3

SI6443DQ-T1-E3

僅供參考

型號 SI6443DQ-T1-E3
PNEDA編號 SI6443DQ-T1-E3
描述 MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 6,786
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI6443DQ-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI6443DQ-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI6443DQ-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs60nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)1.05W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-TSSOP
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.45V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

210mOhm @ 4.65A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

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