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SI6544BDQ-T1-E3

SI6544BDQ-T1-E3

僅供參考

型號 SI6544BDQ-T1-E3
PNEDA編號 SI6544BDQ-T1-E3
描述 MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,298
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI6544BDQ-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI6544BDQ-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI6544BDQ-T1-E3, SI6544BDQ-T1-E3數據表 (總頁數: 9, 大小: 130.93 KB)
PDFSI6544BDQ-T1-GE3數據表 封面
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SI6544BDQ-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.7A, 3.8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs43mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大830mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 3.6V

Vgs(th)(最大)@ ID

380mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1154pF @ 20V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1360pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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