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SI6928DQ-T1-E3

SI6928DQ-T1-E3

僅供參考

型號 SI6928DQ-T1-E3
PNEDA編號 SI6928DQ-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 4A 8TSSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,256
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI6928DQ-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI6928DQ-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI6928DQ-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A, 4.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

604pF @ 20V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A, 4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 4.5A, 4.5V, 90mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V, 12nC @ 2.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF, 405pF @ 8V, 10V

功率-最大

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安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.42V @ 1µA

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.6mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

485pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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