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SI6954ADQ-T1-GE3

SI6954ADQ-T1-GE3

僅供參考

型號 SI6954ADQ-T1-GE3
PNEDA編號 SI6954ADQ-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 22,848
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI6954ADQ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI6954ADQ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI6954ADQ-T1-GE3, SI6954ADQ-T1-GE3數據表 (總頁數: 10, 大小: 218.36 KB)
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SI6954ADQ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs53mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大830mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250mA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

104A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7220pF @ 25V

功率-最大

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FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 16µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1105pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

800mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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