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SI6968BEDQ-T1-E3

SI6968BEDQ-T1-E3

僅供參考

型號 SI6968BEDQ-T1-E3
PNEDA編號 SI6968BEDQ-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 27,210
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI6968BEDQ-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI6968BEDQ-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI6968BEDQ-T1-E3, SI6968BEDQ-T1-E3數據表 (總頁數: 11, 大小: 227.98 KB)
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SI6968BEDQ-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 12.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 6V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 20V

功率-最大

2.2W

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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