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SI6969BDQ-T1-GE3

SI6969BDQ-T1-GE3

僅供參考

型號 SI6969BDQ-T1-GE3
PNEDA編號 SI6969BDQ-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,102
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 13 - 四月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI6969BDQ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI6969BDQ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI6969BDQ-T1-GE3, SI6969BDQ-T1-GE3數據表 (總頁數: 6, 大小: 103.05 KB)
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SI6969BDQ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID800mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大830mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

430mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

630mOhm @ 200mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.23nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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5.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.9nC @ 10V

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