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SI6981DQ-T1-GE3

SI6981DQ-T1-GE3

僅供參考

型號 SI6981DQ-T1-GE3
PNEDA編號 SI6981DQ-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 14 - 二月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI6981DQ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI6981DQ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI6981DQ-T1-GE3, SI6981DQ-T1-GE3數據表 (總頁數: 6, 大小: 102.57 KB)
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SI6981DQ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs31mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 300µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大830mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31.6nC @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 15V

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