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SI7844DP-T1-E3

SI7844DP-T1-E3

僅供參考

型號 SI7844DP-T1-E3
PNEDA編號 SI7844DP-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,406
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7844DP-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7844DP-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI7844DP-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs22mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8 Dual

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8.1A, 10V, 25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA, 2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.2nC @ 10V, 30.9nC @ 10V

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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