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SI7866ADP-T1-GE3

SI7866ADP-T1-GE3

僅供參考

型號 SI7866ADP-T1-GE3
PNEDA編號 SI7866ADP-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,156
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7866ADP-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7866ADP-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SI7866ADP-T1-GE3, SI7866ADP-T1-GE3數據表 (總頁數: 13, 大小: 299.24 KB)
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SI7866ADP-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)40A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs125nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5415pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)5.4W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8
包裝/箱PowerPAK® SO-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.9Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1680pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

198W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4300pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.3V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

497pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

273pF @ 10V

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