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SI7946ADP-T1-GE3

SI7946ADP-T1-GE3

僅供參考

型號 SI7946ADP-T1-GE3
PNEDA編號 SI7946ADP-T1-GE3
描述 MOSFET 2 N-CH 150V POWERPAK SO8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,156
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7946ADP-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7946ADP-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI7946ADP-T1-GE3, SI7946ADP-T1-GE3數據表 (總頁數: 13, 大小: 372.76 KB)
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SI7946ADP-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.7A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs186mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.5nC @ 7.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds230pF @ 75V
功率-最大19.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

295mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

61mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.9nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

915pF @ 6V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2605pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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