SI8275GB-IM1
僅供參考
| 型號 | SI8275GB-IM1 |
| PNEDA編號 | SI8275GB-IM1 |
| 描述 | 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR |
| 制造商 | Silicon Labs |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 10,452 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸) |
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SI8275GB-IM1資源
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SI8275GB-IM1規格
| 制造商 | Silicon Labs |
| 系列 | Automotive, AEC-Q100 |
| 技術 | Capacitive Coupling |
| 頻道數 | 2 |
| 電壓-隔離 | 2500Vrms |
| 共模瞬變抗擾度（最小值） | 150kV/µs |
| 傳播延遲tpLH/tpHL（最大值） | 60ns, 60ns |
| 脈沖寬度失真（最大值） | 8ns |
| 上升/下降時間（典型值） | 10.5ns, 13.3ns |
| 電流-輸出高，低 | 1.8A, 4A |
| 電流-峰值輸出 | 4A |
| 電壓-正向（Vf）（典型值） | - |
| 電流-直流正向（If）（最大值） | - |
| 電壓-輸出電源 | 4.2V ~ 30V |
| 工作溫度 | -40°C ~ 125°C |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 14-VDFN |
| 供應商設備包裝 | 14-QFN (5x5) |
| 批準 | CQC, CSA, UL, VDE |
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