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SI9955DY

SI9955DY

僅供參考

型號 SI9955DY
PNEDA編號 SI9955DY
描述 MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,272
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI9955DY資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI9955DY
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI9955DY, SI9955DY數據表 (總頁數: 3, 大小: 246.96 KB)
PDFSI9955DY數據表 封面
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SI9955DY規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds345pF @ 15V
功率-最大900mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1995pF @ 40V

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1321pF @ 13V

功率-最大

25W, 28W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

195pF @ 20V

功率-最大

1.1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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