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SI9976DY-E3

SI9976DY-E3

僅供參考

型號 SI9976DY-E3
PNEDA編號 SI9976DY-E3
描述 IC DRVR MOSF 1/2BRDG N-CH 14SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,110
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI9976DY-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI9976DY-E3
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
SI9976DY-E3, SI9976DY-E3數據表 (總頁數: 7, 大小: 102.92 KB)
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SI9976DY-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 16.5V
邏輯電壓-VIL,VIH1V, 4V
電流-峰值輸出(源極,接收器)500mA, 500mA
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)40V
上升/下降時間(典型值)110ns, 50ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝14-SOIC

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門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

2V, 4.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

-

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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驅動配置

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系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 15.6V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

RC Input Circuit

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

80ns, 45ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

6.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.25A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

26ns, 18ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

8V ~ 12.6V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

125V

上升/下降時間(典型值)

65ns, 65ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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