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SIA438EDJ-T1-GE3

SIA438EDJ-T1-GE3

僅供參考

型號 SIA438EDJ-T1-GE3
PNEDA編號 SIA438EDJ-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 3,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA438EDJ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA438EDJ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SIA438EDJ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds350pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2.4W (Ta), 11.4W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Single
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1725pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Ta), 69A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1862pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta), 28W (Tc)

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安裝類型

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制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

540mOhm @ 900mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

180pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

41mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1007pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

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