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SIA447DJ-T1-GE3

SIA447DJ-T1-GE3

僅供參考

型號 SIA447DJ-T1-GE3
PNEDA編號 SIA447DJ-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 8,586
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 26 - 五月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA447DJ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA447DJ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SIA447DJ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID850mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs80nC @ 8V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2880pF @ 6V
FET功能-
功耗(最大值)19W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Single
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1445pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

15W (Tc)

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

37A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2154pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

417W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.5A (Ta), 85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2614pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

880mW (Ta), 48.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 440µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1670pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

32W (Tc)

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