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SIA920DJ-T1-GE3

SIA920DJ-T1-GE3

僅供參考

型號 SIA920DJ-T1-GE3
PNEDA編號 SIA920DJ-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,172
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA920DJ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA920DJ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SIA920DJ-T1-GE3, SIA920DJ-T1-GE3數據表 (總頁數: 9, 大小: 292.12 KB)
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SIA920DJ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs27mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID700mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds470pF @ 4V
功率-最大7.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

325mOhm @ 800mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

82pF @ 10V

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Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

750mV @ 1.6µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.26nC @ 2.5V

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