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SIA923AEDJ-T1-GE3

SIA923AEDJ-T1-GE3

僅供參考

型號 SIA923AEDJ-T1-GE3
PNEDA編號 SIA923AEDJ-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 27,486
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA923AEDJ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA923AEDJ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SIA923AEDJ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds770pF @ 10V
功率-最大7.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

135mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 25V

功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

195mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

74A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 50A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 15mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

161nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2788pF @ 1000V

功率-最大

375W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4507pF @ 25V

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