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SICRD101200TR

SICRD101200TR

僅供參考

型號 SICRD101200TR
PNEDA編號 SICRD101200TR
描述 DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
制造商 SMC Diode Solutions
單價 請求報價
庫存 2,988
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SICRD101200TR資源

品牌 SMC Diode Solutions
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SICRD101200TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SICRD101200TR規格

制造商SMC Diode Solutions
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 10A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1200V
電容@ Vr,F640pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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600V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.1V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

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