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SICRD6650TR

SICRD6650TR

僅供參考

型號 SICRD6650TR
PNEDA編號 SICRD6650TR
描述 DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
制造商 SMC Diode Solutions
單價 請求報價
庫存 3,078
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SICRD6650TR資源

品牌 SMC Diode Solutions
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SICRD6650TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SICRD6650TR規格

制造商SMC Diode Solutions
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 6A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 650V
電容@ Vr,F150pF @ 5V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

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GeneSiC Semiconductor

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 150A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

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供應商設備包裝

D-67

工作溫度-結點

-

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

780pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-220-2

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

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