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SIDC14D120E6X1SA4

SIDC14D120E6X1SA4

僅供參考

型號 SIDC14D120E6X1SA4
PNEDA編號 SIDC14D120E6X1SA4
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIDC14D120E6X1SA4資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIDC14D120E6X1SA4
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SIDC14D120E6X1SA4規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)15A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.9V @ 15A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr27µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Sawn on foil
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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40V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

360mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

125°C (Max)

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制造商

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系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

3000V

電流-平均整流(Io)

570mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

6V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 3000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

S, Axial

供應商設備包裝

S, Axial

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

FR302G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

S1DLHRFG

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

910mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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