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SIDC14D120F6X1SA3

SIDC14D120F6X1SA3

僅供參考

型號 SIDC14D120F6X1SA3
PNEDA編號 SIDC14D120F6X1SA3
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,354
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIDC14D120F6X1SA3資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIDC14D120F6X1SA3
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SIDC14D120F6X1SA3規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)15A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.1V @ 15A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr27µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Sawn on foil
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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150V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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GDP03S060C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

3A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 3A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

122pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Comchip Technology

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

1A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

120pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

4000V

電流-平均整流(Io)

700A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.71V @ 1200A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 4000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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