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SIDC14D120H8X1SA1

SIDC14D120H8X1SA1

僅供參考

型號 SIDC14D120H8X1SA1
PNEDA編號 SIDC14D120H8X1SA1
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,712
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIDC14D120H8X1SA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIDC14D120H8X1SA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SIDC14D120H8X1SA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)25A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.97V @ 25A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr20µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Sawn on foil
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

350mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.6V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 2400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 2.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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80V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

810mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 80V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

560mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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30V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

10ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 15V

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16pF @ 10V, 1MHz

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