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SIDC14D60F6X1SA2

SIDC14D60F6X1SA2

僅供參考

型號 SIDC14D60F6X1SA2
PNEDA編號 SIDC14D60F6X1SA2
描述 DIODE GEN PURP 600V 45A WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,870
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIDC14D60F6X1SA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIDC14D60F6X1SA2
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SIDC14D60F6X1SA2規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)45A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.6V @ 45A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr27µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Sawn on foil
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2000V

電流-平均整流(Io)

400A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.62V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 2000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

35A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 110A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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