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SIDC20D60C6

SIDC20D60C6

僅供參考

型號 SIDC20D60C6
PNEDA編號 SIDC20D60C6
描述 DIODE GEN PURP 600V 75A WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,452
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIDC20D60C6資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIDC20D60C6
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SIDC20D60C6, SIDC20D60C6數據表 (總頁數: 4, 大小: 56.67 KB)
PDFSIDC20D60C6數據表 封面
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SIDC20D60C6規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)75A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.9V @ 75A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr27µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Sawn on foil
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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800V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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DO-214AB (SMC)

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

10000V

電流-平均整流(Io)

1.2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

11.5V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 10000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

75A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 75A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

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