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SIDC30D120H8X1SA4

SIDC30D120H8X1SA4

僅供參考

型號 SIDC30D120H8X1SA4
PNEDA編號 SIDC30D120H8X1SA4
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,794
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIDC30D120H8X1SA4資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIDC30D120H8X1SA4
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SIDC30D120H8X1SA4規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)50A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.97V @ 50A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr27µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Sawn on foil
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

電流-平均整流(Io)

3.9A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

830mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 120V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

110pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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DO-214AC (SMA)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 40V

電容@ Vr,F

400pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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600V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.2V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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