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SIDC50D60C6X1SA1

SIDC50D60C6X1SA1

僅供參考

型號 SIDC50D60C6X1SA1
PNEDA編號 SIDC50D60C6X1SA1
描述 DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,654
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIDC50D60C6X1SA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIDC50D60C6X1SA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SIDC50D60C6X1SA1, SIDC50D60C6X1SA1數據表 (總頁數: 4, 大小: 56.12 KB)
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  • SIDC50D60C6X1SA1 Distributor

SIDC50D60C6X1SA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)200A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.9V @ 200A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr27µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Sawn on foil
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.31V @ 45A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

180ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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