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SIDC81D60E6X1SA3

SIDC81D60E6X1SA3

僅供參考

型號 SIDC81D60E6X1SA3
PNEDA編號 SIDC81D60E6X1SA3
描述 DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,632
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIDC81D60E6X1SA3資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIDC81D60E6X1SA3
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SIDC81D60E6X1SA3規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)200A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 200A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr27µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Sawn on foil
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

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系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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30V

電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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