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SIF912EDZ-T1-E3

SIF912EDZ-T1-E3

僅供參考

型號 SIF912EDZ-T1-E3
PNEDA編號 SIF912EDZ-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,186
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 15 - 三月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIF912EDZ-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIF912EDZ-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SIF912EDZ-T1-E3, SIF912EDZ-T1-E3數據表 (總頁數: 6, 大小: 101.37 KB)
PDFSIF912EDZ-T1-E3數據表 封面
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  • SIF912EDZ-T1-E3 Distributor

SIF912EDZ-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs19mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.6W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® 2x5
供應商設備包裝PowerPAK® (2x5)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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-

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 7.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

DMC4050SSDQ-13

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

Automotive, AEC-Q101

FET類型

N and P-Channel Complementary

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37.56nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1790.8pF @ 20V

功率-最大

1.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

TPS1120D

Texas Instruments

制造商

系列

-

FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

15V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.17A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.45nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

840mW

工作溫度

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