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SIGC158T120R3LEX1SA2

SIGC158T120R3LEX1SA2

僅供參考

型號 SIGC158T120R3LEX1SA2
PNEDA編號 SIGC158T120R3LEX1SA2
描述 IGBT 1200V 150A DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIGC158T120R3LEX1SA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIGC158T120R3LEX1SA2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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SIGC158T120R3LEX1SA2規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)450A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 150A
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 15A

功率-最大

178W

開關能量

370µJ (on), 67µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

43nC

25°C時的Td(開/關)

9.3ns/54.8ns

測試條件

400V, 15A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 12A

功率-最大

34W

開關能量

100µJ (on), 160µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19nC

25°C時的Td(開/關)

32ns/85ns

測試條件

300V, 12A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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Through Hole

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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功率-最大

160W

開關能量

710µJ (on), 350µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

54ns/110ns

測試條件

480V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

42ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45A

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108A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 12A

功率-最大

167W

開關能量

55µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

23nC

25°C時的Td(開/關)

6ns/40ns

測試條件

390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

46ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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