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SIHA18N60E-E3

SIHA18N60E-E3

僅供參考

型號 SIHA18N60E-E3
PNEDA編號 SIHA18N60E-E3
描述 MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 23,040
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIHA18N60E-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIHA18N60E-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SIHA18N60E-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列E
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)18A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs202mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs92nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1640pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)34W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220 Full Pack
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6160pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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Vishay Siliconix

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

156mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.09W (Ta), 1.66W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

91.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3905pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

113.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1690pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

92W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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FET功能

-

功耗(最大值)

310mW (Ta)

工作溫度

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