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SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

僅供參考

型號 SIHB22N65E-GE3
PNEDA編號 SIHB22N65E-GE3
描述 MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,064
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIHB22N65E-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIHB22N65E-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SIHB22N65E-GE3, SIHB22N65E-GE3數據表 (總頁數: 9, 大小: 213.93 KB)
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SIHB22N65E-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs110nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2415pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)227W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

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安裝類型

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Vishay Siliconix

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

850mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1018pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

64mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 20V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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